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SIHG080N60E-GE3

Name: Vishay SIHG080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHG080N60E-GE3
Price: 4.66 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHG080N60E-GE3

Fabr. N.º:

SIHG080N60E-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHG080N60E-GE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AC-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	35 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	227 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	96 ns
Serie:	SIHG E
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns
Peso unitario:	6 g

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TO-247AC (High Voltage)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHG080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHG080N60E E Series Power MOSFETs feature reduced switching and conduction losses utilizing 4th generation E series technology. The SiHG080N60E Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge in a TO-247AC package. The SiHG080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)).