EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 6En existencias
15Fecha prevista: 20/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
30Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray