FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi MOSFET 20V Complementary PowerTrench
Hoja de datos
2.484En existencias
5.000Fecha prevista: 08/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 66 mOhms, 142 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV, 600 mV 3 nC, 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
Hoja de datos
142.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 55 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel