Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Resultados: 20
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
APC-E MOSFET de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E MOSFET de SiC 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Hoja de datos
600Fecha prevista: 28/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E MOSFET de SiC 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E MOSFET de SiC 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
300Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E MOSFET de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Fecha prevista: 01/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E MOSFET de SiC 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E MOSFET de SiC 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Fecha prevista: 01/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E MOSFET de SiC 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Hoja de datos
300Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFET de SiC 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E MOSFET de SiC 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C