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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Hoja de datos
13En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo FET de GaN 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W