High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Configuración Corriente del colector DC máxima Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje colector-base VCBO Voltaje emisor-base VEBO Voltaje de saturación colector-emisor Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado

onsemi Transistores bipolares - BJT High Volt Fast Switching Trans 34.798En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 400 V 1.05 kV 14 V 230 mV 1.25 W + 150 C FJD5553 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistores bipolares - BJT High Volt Fast Switching Trans 3.144En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 400 V 1.05 kV 14 V 1.5 V 1.34 W + 150 C FJD5555 Reel, Cut Tape, MouseReel