MOSFET de tipo trinchera de canal N 2N7002AK

Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface-mounted (SMD) plastic packages using Trench MOSFET technology. These AEC-Q101-qualified devices offer logic-level compatibility in a wide -55°C to +175°C junction temperature range. Applications for Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs include relay and high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
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153En existencias
5.000Fecha prevista: 11/06/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A
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3.353En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A
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23En existencias
9.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
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50.988Fecha prevista: 30/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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Comentarios de Producto
9.346Fecha prevista: 31/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape