DXTP80x PNP Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTP80x PNP Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >-30V, -60V, or -100V collector-emitter voltage and a >-8V emitter-base voltage. The DXTP80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. PNP bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje colector-base VCBO
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Serie
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.588En existencias
2.000Fecha prevista: 29/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
2.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape