MOSFET de potencia RQ3xFRATCB

Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor  tienen grado automotriz y calificación AEC-Q101. Estos MOSFET presentan un rango de tensión de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y una corriente de drenaje continua de ±12 A   a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia vienen en un encapsulado HSMT8AG pequeño de 3,3 mm x 3,3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y carrocería.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.830En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape