Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
Hoja de datos
154En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
Hoja de datos
259En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
Hoja de datos
4.590Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Hoja de datos
300Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD Through Hole 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube