IGBT TRENCHSTOP™ 5

Los IGBT TRENCHSTOP™5 de Infineon son la última generación de IGBT (transistores bipolares de compuerta aislada) de placa fina que ofrecen pérdidas de conducción y conmutación significativamente más bajas en comparación con las actuales soluciones líderes. No hay otro IGBT en el mercado que pueda compararse al rendimiento del TRENCHSTOP™5. Están diseñados para aplicaciones en las que la conmutación supera los 10 kHz. El grosor de la capa se ha reducido en más de un 25%, lo que permite una drástica mejora tanto en las pérdidas de conmutación como en las de conducción, si bien ofrece una tensión excelente de 650 V. Este salto cuantitativo de eficiencia ofrece nuevas oportunidades de exploración a los diseñadores.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
244En existencias
960Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
80En existencias
7.960Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
5En existencias
2.880Fecha prevista: 09/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
340En existencias
720Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650V IGBT Trenchstop 5
Hoja de datos
1.622Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
760Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
312Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube