MMBFx N Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated MMBFx N-channel Enhance mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The MMBFx MOSFETs provide low gate threshold voltage, input capacitance, and input/output leakage. These MOSFETs from Diodes Incorporated are ideal for high-efficiency power management applications including power management functions and analog switches.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 7.265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 70 V 500 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 7.153En existencias
24.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel