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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 9.87 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-GAN041-650WSBQ

Fabr. N.º:

GAN041-650WSBQ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

FET de GaN SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

GAN041-650WSBQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	7,76 €	77,60 €
	7,28 €	364,00 €
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	6,08 €	1.216,00 €
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	7,76 €	232,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	SOT-429-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	47.2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	187 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de parte #:	934661752127
Peso unitario:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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