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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 310 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 270 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel