Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

Resultados: 40
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 7.2 Amp
Hoja de datos
751En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
186En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 620V 1.1
Hoja de datos
289En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
Hoja de datos
414En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
Hoja de datos
26En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
Hoja de datos
695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.4 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
Hoja de datos
74En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 3.8 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
Hoja de datos
Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 400V to 650V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube