DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje colector-base VCBO
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Serie
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
2.000Fecha prevista: 08/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3.880En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1.592En existencias
2.000Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape