U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
26.403Fecha prevista: 03/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
98.982Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
139.603Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
6.000Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
9.000Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
18.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
6.000Fecha prevista: 13/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 89.6 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 66 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel
Toshiba MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 242 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel