NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC Hybrid Modules

onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si/SiC Hybrid Power Integrated Modules (PIMs) contain a three-channel 1200V IGBT + SiC Boost module and an NTC thermistor. Each channel consists of a fast-switching 80A IGBT, a 30A SiC diode, a bypass diode, and an IGBT protection diode. Integrated field stop trench IGBTs and SiC diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling high efficiency and superior reliability.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Hoja de datos
24En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi NXH240B120H3Q1PG
onsemi Módulos IGBT PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules SiC, Si
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Hoja de datos
480Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 24
Múlt.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si