QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Fabr.:

Descripción:
Amplificador de RF 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.
Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Pedido:
20
Fecha prevista: 10/06/2026
Plazo de producción de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
421,39 € 421,39 €
364,41 € 3.644,10 €
350,23 € 7.004,60 €
260 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Amplificador de RF
Restricciones de envío:
 Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Marca: Qorvo
Pérdida de retorno de entrada: 18 dB
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 1 Channel
Pd (disipación de potencia): 59.5 W
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica: 20
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.