iDEAL Semiconductor MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 2.102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET 203En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 4.394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 371En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package No en almacén Plazo producción 2 Semanas
Mín.: 200
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel