Navitas Semiconductor Semiconductores

Resultados: 1.794
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV
Hoja de datos
32Fecha prevista: 03/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 400PV
Hoja de datos
7En existencias
50Fecha prevista: 05/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 600PV
Hoja de datos
27Fecha prevista: 24/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 400PV
Hoja de datos
47Fecha prevista: 08/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
Hoja de datos
6Fecha prevista: 21/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 800PV
Hoja de datos
6Fecha prevista: 24/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores de puente 600 V - 25 A
Hoja de datos
463Fecha prevista: 04/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores de puente 1000V 35A Si Bridge Rectifier
Hoja de datos
494Fecha prevista: 24/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GeneSiC Semiconductor Rectificadores de puente 200V 8A Bridge Rectifier
Hoja de datos
837Fecha prevista: 18/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 170mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET 650V 25mOhm(max) TOLT No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500