STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
2.480En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
5.000Fecha prevista: 12/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel