Automotive Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Automotive Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. The structure can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components and being AEC-Q101 qualified, the Sanan Semiconductor Automotive Silicon Carbide SBDs are qualified for use in automotive applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 1A, SMBF, Auto Grade
Hoja de datos
6.407En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT SMBF Single 1 A 1.2 kV 1.35 V 15 A 8 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 1A, SMBF, Auto Grade
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

SMD/SMT SMBF Single 1 A 650 V 1.3 V 12 A 8 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel