3N163 TO-72 4L RoHS

Name: Linear Integrated Systems 3N163 TO-72 4L RoHS
Brand: Linear Integrated Systems
SKU: 722-3N163TO-724LROHS
Price: 8.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

722-3N163TO-724LROHS

Fabr. N.º:

3N163 TO-72 4L RoHS

Fabr.:

Linear Integrated Systems

Descripción:

MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

3N163 TO-72 4L RoHS Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Linear Integrated Systems
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-72-4
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	250 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6.5 V, 6.5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Pd (disipación de potencia):	350 mW, 375 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Linear Integrated Systems
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Transconductancia delantera: mín.:	2 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	3N163
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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ECCN:: EAR99

3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.