Ampleon Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET ART2K0PE/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray