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ZXMN6A09GQTA

Name: Diodes Incorporated ZXMN6A09GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-ZXMN6A09GQTA
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

621-ZXMN6A09GQTA

Fabr. N.º:

ZXMN6A09GQTA

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K

Hoja de datos:

ZXMN6A09GQTA Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.976

Fecha prevista: 20/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,90 €	1,90 €
	1,26 €	12,60 €
	0,85 €	85,00 €
	0,679 €	339,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	0,613 €	613,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-223-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	24.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	25.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.9 ns
Peso unitario:	112 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive MOSFETs

Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate the product is Automotive grade. This means the Diodes Incorporated device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the Production Part Approval Process (PPAP) and TS16949-approved manufacturing sites.