Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

WNSC5D16650CJ6Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D16650CJ6Q
Price: 0.95 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

771-WNSC5D16650CJ6Q

Fabr. N.º:

WNSC5D16650CJ6Q

Fabr.:

WeEn Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Hoja de datos:

WNSC5D16650CJ6Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 960 Múltiples: 480

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,955 €	916,80 €
	0,912 €	2.626,56 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	WeEn Semiconductors
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	TO3PF-3
Configuración:	Common Cathode
If - Corriente delantera:	16 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.45 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	40 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	WeEn Semiconductors
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	480
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de parte #:	934072973127

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

WNSC5D16650CJ6Q Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost. These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.