VS-SF50SA120

Name: Vishay VS-SF50SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF50SA120
Price: 38.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-VS-SF50SA120

Fabr. N.º:

VS-SF50SA120

Fabr.:

Vishay Semiconductors

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	49 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	47 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, 15 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	238 W
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9.28 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	29.44 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	160
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	27.52 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13.44 ns