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VS-FC270SA20

Name: Vishay VS-FC270SA20
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC270SA20
Price: 26.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-VS-FC270SA20

Fabr. N.º:

VS-FC270SA20

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Módulos MOSFET 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	SOT-227-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	287 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	937 W
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	118 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	212 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	160
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	ThunderFET
Tipo:	MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	134 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	76 ns
Vf - Tensión delantera:	930 mV
Vr - Tensión inversa:	200 V
Peso unitario:	30 g

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Application Notes

Mounting Instructions for SOT-227 Modules

PCN

Technical Resources

SOT-227 Generation 2

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High Voltage MOSFET Modules

Vishay High Voltage MOSFET Modules manage very high currents in low voltage power converters. These MOSFET modules include single switch power MOSFETs which feature ThunderFET^® and TrenchFET^® technologies. The high voltage MOSFET modules also include power MOSFETs which offer a fully isolated package, low on-resistance, dynamic dV/dt rating, and low drain to case capacitance. Vishay High Voltage MOSFET Modules provide an excellent combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance, and cost-effectiveness.