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VS-4C12ET07THM3

Name: Vishay VS-4C12ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07THM3
Price: 3.84 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-VS-4C12ET07THM3

Fabr. N.º:

VS-4C12ET07THM3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C12ET07THM3 Hoja de datos (PDF)

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Fecha prevista: 14/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,84 €	3,84 €
	2,57 €	25,70 €
	1,98 €	198,00 €
	1,76 €	880,00 €
	1,49 €	1.490,00 €
	1,44 €	2.880,00 €
	1,42 €	7.100,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	12 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.3 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	72 A
Ir - Corriente inversa:	84 uA
Temperatura operativa mínima:	-55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C12ET07THM3
Marca:	Vishay Semiconductors
Pd (disipación de potencia):	91 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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VS-4C12ET07THM3 Hoja de datos (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.