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VS-4C12ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C12ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07S2LHM3
Price: 4.1 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-VS-4C12ET07S2LHM3

Fabr. N.º:

VS-4C12ET07S2LHM3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C12ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 800

Fecha prevista: 14/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

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	1,89 €	945,00 €
	1,61 €	1.288,00 €
	1,55 €	3.720,00 €
	1,52 €	8.512,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	12 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.3 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	72 A
Ir - Corriente inversa:	84 uA
Temperatura operativa mínima:	-55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C12ET07S2LHM3
Marca:	Vishay Semiconductors
Pd (disipación de potencia):	91 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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VS-4C12ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

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Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.