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UJ3N120035K3S

Name: onsemi UJ3N120035K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120035K3S
Price: 25.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UJ3N120035K3S

Fabr. N.º:

UJ3N120035K3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO

Hoja de datos:

UJ3N120035K3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	JFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Pd (disipación de potencia):	429 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Nombre comercial:	SiC JFET
Peso unitario:	13,633 g

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Hoja de datos

UJ3N120035K3S Hoja de datos

Models

SPICE Model/UJ3N120035K3S (Texto)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.