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TSM076NH04DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM076NH04DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM076NH04DCRRLG
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

821-TSM076NH04DCRRLG

Fabr. N.º:

TSM076NH04DCR RLG

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

MOSFET 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM076NH04DCR RLG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,98 €	1,98 €
	1,27 €	12,70 €
	0,869 €	86,90 €
	0,691 €	345,50 €
	0,653 €	653,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,571 €	1.427,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PDFN56U-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	34 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	19 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	55.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PerFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	42 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	49.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.9 ns
Alias de parte #:	TSM076NH04DCR

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (V_DS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.