TK5R0A15Q5,S4X MOSFET

Resultados: 2
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
284En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
N/A