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TK210V65Z,LQ

Name: Toshiba TK210V65Z,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK210V65ZLQ
Price: 1.61 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

757-TK210V65ZLQ

Fabr. N.º:

TK210V65Z,LQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI

Hoja de datos:

TK210V65Z,LQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	210 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	DTMOS VI
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	66 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	34 ns
Peso unitario:	161,193 mg

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Application Notes

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Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.