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TK16N60W,S1VF

Name: Toshiba TK16N60W,S1VF
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16N60WS1VF
Price: 4.93 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK16N60WS1VF

Fabr. N.º:

TK16N60W,S1VF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

Hoja de datos:

TK16N60W,S1VF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	4,93 €	4,93 €
	2,77 €	27,70 €
	2,30 €	276,00 €
	2,09 €	1.065,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	160 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.7 V
Qg (carga de compuertas):	38 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	TK16N60W
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	100 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	50 ns
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

TK16N60W,S1VF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.