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TK155U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK155U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK155U60Z1RQ
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK155U60Z1RQ

Fabr. N.º:

TK155U60Z1,RQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

TK155U60Z1,RQ Hoja de datos

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	2,98 €	2,98 €
	1,94 €	19,40 €
	1,35 €	135,00 €
	1,17 €	585,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,995 €	1.990,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	155 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	70 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	34 ns

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Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.