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TJ40S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ40S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ40S04M3L,LXHQ
Price: 1.05 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TJ40S04M3L,LXHQ

Fabr. N.º:

TJ40S04M3L,LXHQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Hoja de datos:

TJ40S04M3L,LXHQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,74 €	7,40 €
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	0,461 €	230,50 €
	0,412 €	412,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,374 €	748,00 €
	0,359 €	1.436,00 €
	0,349 €	8.376,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	68 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	150 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	46 ns
Serie:	UMOS VI
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	465 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	63 ns
Alias de parte #:	TJ40S04M3L,LXHQ(O
Peso unitario:	360 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Application Notes

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Product Catalogs

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.