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TGF2929-FS

Name: Qorvo TGF2929-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FS
Price: 600.71 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-TGF2929-FS

Fabr. N.º:

TGF2929-FS

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Hoja de datos:

TGF2929-FS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	NI-360
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	28 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 2 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2.9 V
Pd (disipación de potencia):	144 W
Marca:	Qorvo
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	TGF2929
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-SiC
Tipo:	RF Power MOSFET
Alias de parte #:	TGF2929 1123716

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.