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STH315N10F7-6

Name: STMicroelectronics STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH315N10F7-6
Price: 4.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STH315N10F7-6

Fabr. N.º:

STH315N10F7-6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos:

STH315N10F7-6 Hoja de datos (PDF)

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,34 €	4,34 €
	2,89 €	28,90 €
	2,06 €	206,00 €
	1,96 €	980,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,95 €	1.950,00 €
	1,66 €	8.300,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	180 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	180 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	315 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	108 ns
Serie:	STH315N10F7-6
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	148 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	62 ns
Peso unitario:	1,600 g

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Hoja de datos

STH315N10F7-6 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia DeepGATE STripFET VII

Los MOSFET de potencia DeepGATE™ STripFET VII de STMicroelectronics son MOSFET de potencia de canal N con calificación AEC-Q101 con calificación para automoción que combinan la mejor resistencia de estado de activación de su clase con una carga de compuerta y capacitancias internas bajas, lo que mejora la eficiencia de la conducción y la conmutación. Disponibles en paquetes estándar de la industria TO-220 o H2PAK de 2 o 6 conductores, estos dispositivos ayudan a los diseñadores a reducir el tamaño de la placa y maximizar la densidad de la potencia. Los MOSFET STH315N10F7 ofrecen además una gran resistencia a avalanchas para sobrevivir en condiciones potencialmente perjudiciales. Con una potencia nominal de 100 V, estos MOSFET DeepGATE STripFET VII proporcionan un margen de seguridad adecuado para soportar las sobretensiones típicas. Los MOSFET DeepGATE STripFET VII STH315N10F7 son también adecuados para un rendimiento de alta resistencia en aplicaciones de automoción y conmutación.
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MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo R_DS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el R_DS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.