STGWA15M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA15M120DF3
STGWA15M120DF3

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
30 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 38 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0 

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

En existencias: 457

Existencias:
457 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,18 € 5,18 €
3,40 € 34,00 €
2,53 € 253,00 €
1,93 € 1.158,00 €
1,81 € 2.172,00 €
1,70 € 5.100,00 €
1,66 € 8.964,00 €

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