STGP8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGP8M120DF3
STGP8M120DF3

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 8 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

En existencias: 274

Existencias:
274
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
1.000
Fecha prevista: 07/09/2027
Plazo de producción de fábrica:
20
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,56 € 5,56 €
3,65 € 36,50 €
2,68 € 268,00 €
2,38 € 1.190,00 €
2,12 € 2.120,00 €

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