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STGP30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGP30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30H60DFB
Price: 2.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGP30H60DFB

Fabr. N.º:

STGP30H60DFB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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STGP30H60DFB Hoja de datos (PDF)

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	2,47 €	2,47 €
	1,22 €	12,20 €
	1,10 €	110,00 €
	0,894 €	447,00 €
	0,819 €	819,00 €
	0,778 €	1.556,00 €
	0,77 €	3.850,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	60 A
Pd (disipación de potencia):	260 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGP30H60DFB
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	60 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	2 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.