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STGB30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30M65DF2
Price: 2.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGB30M65DF2

Fabr. N.º:

STGB30M65DF2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Hoja de datos:

STGB30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,77 €	2,77 €
	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,07 €	535,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	0,937 €	937,00 €
	0,902 €	1.804,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	60 A
Pd (disipación de potencia):	258 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGB30M65DF2
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	1,380 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

STGB30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.