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STGB30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGB30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H60DFB
Price: 2.83 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGB30H60DFB

Fabr. N.º:

STGB30H60DFB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Pedido:: 1.000

Fecha prevista: 04/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 15

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,83 €	2,83 €
	1,83 €	18,30 €
	1,35 €	135,00 €
	1,14 €	570,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	0,972 €	972,00 €
	0,92 €	1.840,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	60 A
Pd (disipación de potencia):	260 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGB30H60DFB
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	60 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	1,380 g

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Atributos seleccionados: 0

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.