STF80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STF80N1K1K6
STF80N1K1K6

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 1.003

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,12 € 2,12 €
1,35 € 13,50 €
0,92 € 92,00 €
0,768 € 384,00 €
0,676 € 676,00 €
0,626 € 1.565,00 €
0,606 € 3.030,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 4.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 7.4 ns
Peso unitario: 1,690 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.