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STD80N340K6

Name: STMicroelectronics STD80N340K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N340K6
Price: 3.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STD80N340K6

Fabr. N.º:

STD80N340K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,71 €	3,71 €
	2,44 €	24,40 €
	1,73 €	173,00 €
	1,58 €	790,00 €
	1,57 €	1.570,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,34 €	3.350,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	340 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	17.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	92 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de caída:	11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Peso unitario:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent R_DS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.