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ST8L60N065DM9

Name: STMicroelectronics ST8L60N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L60N065DM9
Price: 5.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-ST8L60N065DM9

Fabr. N.º:

ST8L60N065DM9

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,34 €	5,34 €
	4,09 €	40,90 €
	3,31 €	331,00 €
	2,94 €	1.470,00 €
	2,52 €	2.520,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	2,52 €	7.560,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	39 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	65 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	66 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	202 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Serie:	MDmesh DM9
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	59 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	180 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low R_DS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.