Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SSM6N67NU,LF

Name: Toshiba SSM6N67NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N67NULF
Price: 0.52 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

757-SSM6N67NULF

Fabr. N.º:

SSM6N67NU,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Hoja de datos:

SSM6N67NU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Toshiba SSM6N67NU,LF

En existencias: 30.311

Existencias:: 30.311

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 45.000

Fecha prevista: 06/03/2026

72.000

Fecha prevista: 04/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,525 €	0,53 €
	0,326 €	3,26 €
	0,209 €	20,90 €
	0,158 €	79,00 €
	0,14 €	140,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,114 €	342,00 €
	0,106 €	636,00 €
	0,091 €	819,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	UDFN-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	39.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	3.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	U-MOSVII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
Transconductancia delantera: mín.:	6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6N67NU
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns
Peso unitario:	8,500 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtrar documento:

Hoja de datos

SSM6N67NU,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.