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SSM6J511NU,LF

Name: Toshiba SSM6J511NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J511NULF
Price: 0.53 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

757-SSM6J511NULF

Fabr. N.º:

SSM6J511NU,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch

Hoja de datos:

SSM6J511NU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 17.054

Fecha prevista: 23/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 20

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,533 €	0,53 €
	0,329 €	3,29 €
	0,211 €	21,10 €
	0,159 €	79,50 €
	0,142 €	142,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,117 €	351,00 €
	0,107 €	642,00 €
	0,092 €	828,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	UDFN-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	14 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	47 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6J511
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Peso unitario:	8,500 mg

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.